R2PdSi3(R=Pr,Tb和Gd)单晶生长沉淀

• 作者: Wolfgang L(O)SER 刘林 徐义库 葛丙明
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 悬浮区熔 单晶生长 稀土元素化合物 沉淀
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 页码范围: 2421-2425
• 分类号: O782
• 字数: 363字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(11)61030-3

摘要

利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制各R2PdSi3(R=Pr,Yb和Gd)单晶.从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体内部以及单晶基体4个方面研究单晶制备过程中一个很重要的现象,第二相沉淀.采用退火热处理方法以及给料棒成分微调法可以有效减少凝固后期冷却过程中由于Si溶解度降低析出的条纹状RSi(R=Pr,Tb和Gd)沉淀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘林	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	239	1878	21.0	30.0
2	葛丙明	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	6	30	3.0	5.0