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摘要:
设计了一种采用CSMC 0.6um CMOS工艺的集成带隙基准电压源电路.仿真结果表明,在电源电压VDD为5V时,在的温度范围内,电路得到一个温度系数为37.3533ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为43.98dB的带隙基准电压输出,性能较为理想.
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文献信息
篇名 一种集成稳压电路的设计与研究
来源期刊 制造业自动化 学科 工学
关键词 温度系数 带隙基准 CMOS工艺
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-27,39
页数 分类号 TN43
字数 2175字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-0134.2011.2.09
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 兰燕娜 南通大学理学院 32 82 5.0 8.0
2 薛同莲 南通大学理学院 32 63 4.0 7.0
3 罗向东 南通大学省专用集成电路设计重点实验室 38 119 7.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
温度系数
带隙基准
CMOS工艺
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
制造业自动化
月刊
1009-0134
11-4389/TP
大16开
北京德胜门外教场口1号
2-324
1979
chi
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