固相反应合成β-SiC粉体的工艺参数对其介电性能的影响

• 作者: 付翀 周万城 徐洁 王俊勃 苏晓磊 贺辛亥
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 介电性能 固相反应
• 年，卷（期）: 2011,（20）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 77-79
• 分类号: TQ174
• 字数: 2161字
• 语种: 中文

摘要

采用固相反应合成法,以硅粉和炭黑为原料,分别在0.1MPa的氩气和氮气气氛中合成β-SiC粉体.通过X射线衍射和扫描电镜对合成粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征.同时在8.2～12.4GHz频率范围内进行了介电性能测试.结果表明,在氩气中合成pSiC粉体其晶格参数小于在氮气中合成粉体的晶格参数,两者均小于标准值,但介电参数表现出了相反的趋势.讨论了合成机理和气氛对SiC介电性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周万城	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	206	1931	22.0	34.0
2	贺辛亥	西安工程大学机电工程学院	94	315	9.0	12.0
3	王俊勃	西安工程大学机电工程学院	136	836	15.0	21.0
4	徐洁	西安工程大学机电工程学院	12	51	4.0	6.0
5	苏晓磊	西安工程大学机电工程学院	33	170	7.0	11.0
6	付翀	西安工程大学机电工程学院	35	179	7.0	11.0