MOSFET用作临床X射线剂量测量的研究

• 作者: 姚升宇 张铁宁 朱振华 胡喆恺 陈智维
• 来源期刊: 中国医疗设备
• 学科: 医学
• 关键词: 场效应晶体管 X射线 电离室 剂量监测 探测器
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论著
• 页码范围: 63-68
• 分类号: TN386|R144.1
• 字数: 4369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-1633.2011.05.017

摘要

目的 利用场效应晶体管对X射线的敏感性,探讨制作出符合临床需要、实用的X射线计量探测器的可行性.方法 ①确定合适的场效应晶体管工作参数,即确定工作电压VDS以及漏极电阻DR,并测量在S射线照射场效应晶体管时,漏极电阻DR上的电压降VDR,以确定场效应晶体管对X射线照射是否敏感.②任选市售不同型号的场效应晶体管若干,并在临床的标准条件下对这些场效应晶体管作X射线照射,通过测定VDR值,以确定场效应管对X射线照射反应的普遍性.③使用电离室(临床标准配置)对X射线的剂量作标定,并对处于相同X射线照射下场效应晶体管的VDR值作比对测量,以确定VDR值与X射线剂量之间的函数关系.④大剂量X射线照射试验用场效应晶体管,通过观察其对大剂量射线轰击的耐受性,以确定其作为传感器应当具有的可靠性.结果 市售场效应晶体管对X射线照射的反应具有普遍性;其输出信号与X射线剂量之间具有很好的线性关系;试验用场效应管能够经受大剂量1000cGy的15MV高能X射线轰击.结论 经过挑选的市售场效应晶体管完全能适用作临床上检测X射线的相对剂量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张铁宁	上海交通大学附属第一人民医院肿瘤科	7	26	3.0	5.0
2	胡喆恺	上海交通大学附属第一人民医院肿瘤科	7	6	1.0	2.0
3	陈智维	上海交通大学附属第一人民医院肿瘤科	10	9	2.0	2.0
4	朱振华	上海交通大学附属第一人民医院肿瘤科	10	28	3.0	4.0
5	姚升宇	上海交通大学附属第一人民医院肿瘤科	5	17	3.0	4.0