Sn掺杂Bi2Te2.7Se0.3薄膜材料的微结构及热电性能研究

• 作者: 侯文龙 宗崇文 段兴凯 江跃珍
• 来源期刊: 热加工工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 真空熔炼 热蒸发 Sn掺杂 薄膜 热电性能
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 复合材料
• 页码范围: 74-76
• 分类号: TB34
• 字数: 1889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3814.2011.12.023

摘要

采用真空熔炼法合成(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>合金,再通过热蒸发技术在473K玻璃基体上沉积了厚800nm的Sn掺杂Bi<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>热电薄膜.利用X射线衍射技术对薄膜的相结构进行表征;采用表面粗糙度测量仪测定薄膜厚度;采用四探针法和温差电动势法分别测量薄膜的电阻率和Seebeck系数:采用薄膜的电阻率和Seebeck系数Sn掺杂浓度对(Bi<,1-x>Sn<,x>)<,2>Te<,2.7>Se<,0.3>薄膜热电性进行分析.结果表明,Sn掺杂浓度为0.003时,热电功率因子提高到12.8μW/K<'2>·cm;Sn掺杂浓度从0.004增加到0.01,薄膜为P型半导体,热电功率因子减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江跃珍	九江学院电子工程学院	17	35	4.0	4.0
2	段兴凯		3	10	2.0	3.0
3	宗崇文		1	6	1.0	1.0
4	侯文龙	九江学院电子工程学院	1	6	1.0	1.0