金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置

• 作者: 张阳 金华
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金硅面垒型半导体探测器 电荷灵敏放大器 电磁屏蔽 双探测器结构
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 1462-1466
• 页数: 5页
• 分类号: TL814|TL821
• 字数: 2881字
• 语种: 中文

摘要

讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置.采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路.设计双金硅面探测器结构及专门的电磁屏蔽措施提高装置的灵敏度及抗电磁干扰能力.该专用电荷灵敏放大装置工作稳定可靠,并具有宽响应带宽、高灵敏度及强抗干扰能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张阳	中国人民公安大学安全防范系	31	31	3.0	3.0
2	金华	中国人民公安大学安全防范系	45	154	6.0	11.0