氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响

• 作者: 戚志鹏 沈临江 王雷
• 来源期刊: 徐州工程学院学报：自然科学版
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO纳米线 NH3 退火 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 专家特稿
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-358X.2012.02.002

摘要

采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层，然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中，对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响，在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射，并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明，随着退火温度的升高，施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中，观察到较为明显的自由激子光发射，并采用理论拟合进行证明．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈临江	南京工业大学理学院	15	33	4.0	4.0
2	王雷	南京工业大学理学院	10	17	2.0	4.0
3	戚志鹏	南京工业大学理学院	1	0	0.0	0.0