0.5μmCMOS后段平坦化工艺优化

• 作者: 寇春梅 李洪霞
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 0.5μmCMOS工艺 IMD1—1厚度 SOG 反腐蚀 DOE 均匀性
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.06.011

摘要

通过实验对采用SOG材料的0．5pmCMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计，表明IMD1—1厚度、SOG（旋涂玻璃）厚度和etchback（反腐蚀）厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子，在完全平坦化的情况下β=1；如果没有平坦化效果，则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距，它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE（实验设计）的方法优化了0．5μmCMOS的平坦化工艺，平坦化因子3＆70％提高到85％，平坦化均匀性同时得到改善。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	寇春梅		5	4	1.0	2.0
2	李洪霞		1	1	1.0	1.0