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摘要:
采用台积电(TSMC)0.1gum标准RFCMOS工艺进行仿真验证;改进了器件的噪声模型,给出了在功耗和阻抗匹配条件下噪声性能优化的设计方法。在遵守模拟电路设计的八边形法则的基础上,对参数进行折衷考虑(trade—o国和整体优化处理。仿真结果表明,此运算放大器的各项主要参数均满足预期要求,性能优异。
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文献信息
篇名 一款低噪声CMOS运算放大器的改进与设计
来源期刊 电脑与电信 学科 工学
关键词 低噪声放大器 共源共栅 密勒效应 补偿电容
年,卷(期) 2012,(9) 所属期刊栏目 学术探讨
研究方向 页码范围 65-67
页数 3页 分类号 TN386
字数 1581字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1008-6609.2012.09.038
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
共源共栅
密勒效应
补偿电容
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑与电信
月刊
1008-6609
44-1606/TN
大16开
广州市连新路171号国际科技中心B108室
1995
chi
出版文献量(篇)
8962
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13
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