隔离槽深度对面阵探测器热应力影响研究

• 作者: 余倩 孟庆端 张晓玲 张立文
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 航空航天
• 关键词: 红外面阵探测器 隔离槽 结构应力 ANSYS
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 红外与激光技术
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: V248.1
• 字数: 2264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5048.2012.03.009

摘要

热冲击下InSb面阵探测器的成品率制约着其适用性。为了解光敏元隔离槽深度对InSb芯片中热应力的影响，针对典型器件结构，借助ANSYS软件，分析了隔离槽深度对InSb芯片、底充胶和硅读出电路中VonMises应力的影响。模拟结果表明：随着隔离槽深度的增加，InSb芯片上的热应力起初缓慢增加，之后增加速度越来越快，当隔离槽深度超过8μm后，InSb芯片上的热应力陡峭上升。对硅读出电路和底充胶来说，在热冲击下累积的热应力似乎与隔离槽深度无关，分别在370MPa和190MPa左右浮动。当隔离槽深度取4μm时，整个器件的热应力较小、且分布均匀．能够满足光学串扰及结构可靠性设计的需求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立文	河南科技大学电子信息工程学院	31	250	7.0	15.0
2	张晓玲	河南科技大学电子信息工程学院	24	57	3.0	6.0
3	孟庆端	河南科技大学电子信息工程学院	35	101	5.0	8.0
4	余倩	河南科技大学电子信息工程学院	3	18	2.0	3.0