微连接技术在3D-WLP中可靠性的研究现状

• 作者: 于治水 经敬楠 苌文龙 陈阿静
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶圆级封装(3D-WLP) 柯肯达尔孔洞 电迁移 尺寸效应 可靠性
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 624-629
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.09.009

摘要

为了研究新型技术对微连接可靠性的影响,阐述了微连接技术在倒装焊、热压力焊、硅通孔技术中的应用情况.对微连接技术在晶圆级封装(3D-WLP)中影响其可靠性的常见问题及主要因素进行了综述.分析表明,在常见的Sn基无铅焊料与Cu基板的反应过程中,金属间化合物层主要由Cu6Sn5和少量Cu3Sn组成.柯肯达尔孔洞、电迁移、金属间化合物的机械性能、锡须及尺寸效应是影响微连接可靠性的常见问题.在此基础上,归纳并探讨了焊料成分、微量合金、稀土元素、镀层及粉末精度等影响微连接可靠性主要因素的研究情况和发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于治水	上海工程技术大学材料工程学院	101	495	11.0	17.0
2	经敬楠	上海工程技术大学材料工程学院	6	18	3.0	4.0
3	苌文龙	上海工程技术大学材料工程学院	10	28	4.0	4.0
4	陈阿静	上海工程技术大学材料工程学院	1	3	1.0	1.0