确定JFET特性的简单电路

• 作者: John Fattaruso
• 来源期刊: EDN CHINA 电子设计技术
• 学科: 工学
• 关键词: JFET 电流特性 简单电路 器件参数 近似模型 漏极电流 晶体管 设计者
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 设计实例
• 页码范围: 59-59,62
• 页数: 2页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 1625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1023-7364.2012.07.021

摘要

当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=p（VGs—VP）2，其中，ID是漏极电流。VGS是栅源电压，β是跨导参数，