应变硅技术在纳米CMOS中的应用

• 作者: 刘国柱 姚飞 林丽 王树杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 CMOS 全局应变 局部应变
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 31-36
• 分类号: TP702
• 字数: 2887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2012.01.011

摘要

应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点，且与传统的体硅工艺相兼容，在CMOS工艺中得到广泛地应用，尤其是MOS件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理，并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时，将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国柱		15	32	4.0	4.0
2	林丽		4	13	2.0	3.0
3	姚飞		7	11	2.0	3.0
4	王树杰	南通航运职业技术学院船舶与海洋工程系	1	6	1.0	1.0