硅基外延GaAs材料的力学仿真分析

• 作者: 刘俊 唐军 赵锐 郭浩
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: Si基异质外延GaAs材料 应力转化率 位移系数 力电耦合效应
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 37-39,43
• 分类号: TB301
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2012.05.012

摘要

Si,GaAs,Si基异质外延GaAs三种材料的基本力学特性各有不同,通过理论计算和ANSYS仿真得出相同条件下Si基异质外延GaAs材料中GaAs应力转化率是Si和GaAs材料的1.26倍左右,应力造成的位移系数略小于Si,远远小于GaAs,同时经过计算得出Si基异质外延GaAs材料的量程是GaAs材料的5倍,说明Si基外延GaAs材料不仅机械特性良好,而且还明显优于Si和GaAs,有更好的力电耦合效应需要的机械特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	181	1162	17.0	24.0
5	唐军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	64	114	5.0	9.0
9	郭浩	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	11	5	1.0	1.0