电化学腐蚀MCP中载流子传输特性作用与影响分析

• 作者: 任天宇 端木庆铎,石晓光,王培翎,张影,李璐璐 薛阳
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 化学
• 关键词: 硅MCP阵列 光生空穴 输运特性 电化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 38-42
• 分类号: O613.72
• 字数: 1754字
• 语种: 中文

摘要

结合半导体能带理论以及电荷传递理论,阐述了电化学刻蚀硅微通道过程中的输运原理;在电化学腐蚀MCP以n-型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,找出硅片中载流子的最佳激发波长为850 nm,以磷离子注入工艺制备的欧姆接触层能产生更多的光生空穴,以微通道板几何结构建立模型,模拟微通道尖端结构对载流子的收集情况,发现载流子在尖端聚集,侧壁被钝化保护,使通道沿尖端方向生长,从而分析不同工艺条件对运输特性的作用与影响分析

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任天宇		3	15	2.0	3.0
2	薛阳		2	13	2.0	2.0
3	端木庆铎,石晓光,王培翎,张影,李璐璐		1	2	1.0	1.0