等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

• 作者: 刘杰 刘肃 刘邦武 夏洋 李超波
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体浸没离子注入 折射率 抗反射层 黑硅
• 年，卷（期）: 2012,（14）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 412-415
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面布满了高度为0-550 nm的山峰状结构,结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低.在：300—1000nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%.通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
2	刘肃	兰州大学物理科学与技术学院	68	261	9.0	11.0
3	李超波	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	31	120	7.0	9.0
4	刘邦武	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	17	96	6.0	8.0