基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 姜苹 李洪涛 袁建强 谢卫平 赵越
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs光导开关 层叠B线 脉冲充电 纳秒激光
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 744-747,770
• 页数: 5页
• 分类号: TN718
• 字数: 2330字
• 语种: 中文

摘要

以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源.以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增.单级B线阻抗25 Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100 Ω.Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大；随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长.采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	中国工程物理研究院流体物理研究所	20	162	7.0	12.0
2	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
3	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
4	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
5	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
6	赵越	中国工程物理研究院流体物理研究所	10	37	4.0	5.0
7	姜苹	中国工程物理研究院流体物理研究所	10	49	4.0	6.0