太阳能多晶硅片表面线状缺陷的形貌特征及形成原因

• 作者: 余方新 刘桂华 李样生 邱深玉 陈楠
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 线状缺陷 线切割 夹杂物 太阳能
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 802-805
• 分类号: TM615
• 字数: 1870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0096.2012.05.016

摘要

研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制.分别采用扫描电子显微技术和X射线衍射技术对多晶硅片线切割引起的线状缺陷的形貌特征及夹杂物进行研究,结果表明:多晶硅片表面线切割过程中形成的线状缺陷是因SiC夹杂物的存在而引起的,当切割钢丝与多晶硅中的SiC夹杂物相遇时,在拉力作用下钢丝爬越SiC夹杂物,同时在SiC夹杂物的表面发生研磨现象,在多晶硅片表面留下线状缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桂华	南昌大学材料科学与工程学院	13	144	6.0	12.0
2	邱深玉	南昌工程学院理学系	12	16	3.0	3.0
4	陈楠	南昌大学材料科学与工程学院	12	50	5.0	7.0
5	余方新	南昌大学材料科学与工程学院	13	105	6.0	10.0
8	李样生	南昌大学材料科学与工程学院	15	116	6.0	10.0