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摘要:
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统.利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致.
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文献信息
篇名 单粒子翻转二维成像技术
来源期刊 信息与电子工程 学科 工学
关键词 单粒子翻转成像 重离子微束 随机静态存储器
年,卷(期) 2012,(5) 所属期刊栏目 微光机电与物理电子技术
研究方向 页码范围 608-612
页数 5页 分类号 TN911.72|TP274+.2
字数 4890字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
单粒子翻转成像
重离子微束
随机静态存储器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
双月刊
2095-4980
51-1746/TN
大16开
四川绵阳919信箱532分箱
62-241
2003
chi
出版文献量(篇)
3051
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11167
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