MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟

• 作者: 周辉 张义门 肖伟坚 贺朝会 郭红霞 陈雨生 龚仁喜 龚建成
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转 线性能量传输 电荷漏斗模型
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 461-464
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|O571.33
• 字数: 2734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.04.008

摘要

用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段.通过输入不同粒子的线性能量传输值,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线.分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响.模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	周辉		84	938	16.0	26.0
3	龚仁喜	西安电子科技大学微电子所	13	185	10.0	13.0
4	郭红霞	西安电子科技大学微电子所	81	385	10.0	13.0
6	陈雨生		36	433	11.0	19.0
9	贺朝会		16	193	8.0	13.0
10	肖伟坚	西安电子科技大学微电子所	1	0	0.0	0.0