溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响

• 作者: 余志强 张昌华
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Mg2Si 溅射功率 外延生长
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 压点功能材料
• 页码范围: 273-275
• 分类号: O484.1
• 字数: 1975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2012.02.030

摘要

采用射频磁控溅射系统,在Si(111)衬底上制备了不同溅射功率下的Mg2Si薄膜.通过X线衍射(XRD)和冷场发射电子显微镜镜(FESEM)对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,理论分析了Mg2Si薄膜在Si(111)衬底上的外延生长关系,得到了Mg2Si薄膜的外延生长特性.研究结果表明,在80～110 W的溅射功率范围内,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,并且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)衍射峰先增强后变弱,在100 W功率下Mg2Si(220)衍射峰最强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
2	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0