石墨烯在Ni(111)表面生长机理的紧束缚计算研究

• 作者: 周辰 江建军 田圆 缪灵 胡靖 赵倩莹
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 金属衬底 表面结构 台阶生长 紧束缚近似
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 517-522
• 分类号: O562.1
• 字数: 3696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2012.03.024

摘要

本文采用SCC-DFTB方法,研究了石墨烯在Ni金属(111)表面上的生长机理及在台阶面生长情况.结果分析表明,苯环在Ni表面吸附时以界面fcc构型总能最低,结构最为稳定.边缘生长时,附着在衬底表面上的石墨烯层中C原子活性从边缘向中间逐渐降低.在由(111)晶面和(111)晶面相交形成的台阶面上,石墨烯片层可连续生长,同时相对衬底表面发生一定偏转,在较大面积时将出现缺陷.改善石墨烯与衬底台阶处的界面不匹配情况将有利于其大面积高质量生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	缪灵	华中科技大学电子科学与技术系	10	106	5.0	10.0
3	胡靖	华中科技大学电子科学与技术系	3	20	2.0	3.0
4	周辰	华中科技大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0
5	田圆	华中科技大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0
6	赵倩莹	华中科技大学电子科学与技术系	1	2	1.0	1.0