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摘要:
研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)2 40 g/L、甲基磺酸60 g/L及Cl- 50 mg/L组成)中氯离子的作用机理.采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响.结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用;在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果.因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率.
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文献信息
篇名 硅通孔铜互连甲基磺酸铜电镀液中氯离子的作用
来源期刊 电镀与涂饰 学科 工学
关键词 硅通孔 铜互连 电镀 氯离子 甲基磺酸盐
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 电镀
研究方向 页码范围 6-9
页数 分类号 TQ153.14
字数 3787字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-227X.2012.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李明 上海交通大学材料科学与工程学院 147 815 15.0 22.0
2 凌惠琴 上海交通大学材料科学与工程学院 4 37 2.0 4.0
3 毛大立 上海交通大学材料科学与工程学院 32 504 13.0 22.0
4 曹海勇 上海交通大学材料科学与工程学院 2 6 2.0 2.0
5 季春花 上海交通大学材料科学与工程学院 2 3 1.0 1.0
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电镀与涂饰
半月刊
1004-227X
44-1237/TS
大16开
广州市科学城科研路6号
46-155
1982
chi
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