新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN／GaNHEMTs器件耐压分析

• 作者: Kevin J. Chen 杨银堂 段宝兴
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN high electron mobility transistors 固定电荷 电场调制
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 464-469
• 分类号: TN386.3
• 语种: 中文

摘要

为了优化传统AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors结构表面电场分布，提高器件击穿电压和可靠性，本文利用不影响AlGaN／GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布，提出了一种sbN4钝化层部分固定正电荷AIGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors新结构．SiaN4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀．新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低，器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V，而且可靠性改善．通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布，说明了产生表面电场峰的电场调制效应，为设计SiaN4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据．Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用，使沟道二维电子气浓度增加，导通电阻减小，输出电流提高．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	段宝兴		4	13	3.0	3.0