篇名 | Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure | ||
来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
关键词 | 静电感应晶体管 BSIT 器件性能 双极型 耐电压 栅结构 击穿电压 阻断电压 | ||
年,卷(期) | zgkx_2012,(4) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 962-970 | |
页数 | 9页 | 分类号 | TN386.7 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |