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Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor （BSIT） with buried gate structure
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| 篇名 | Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor （BSIT） with buried gate structure | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 静电感应晶体管 BSIT 器件性能 双极型 耐电压 栅结构 击穿电压 阻断电压 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2012,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 962-970 | |
| 页数 | 9页 | 分类号 | TN386.7 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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