CMOS工艺中NPN bipolar的开发

• 作者: 崔金洪
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 互补型场效应晶体管 双极 实验设计 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1040字
• 语种: 中文

摘要

由于技术的迅速发展与突破，使集成电路的制造得以在短短的60年间，单一晶粒已经可以容纳数千万个电晶体的超大型集成电路。其主要工艺为CMOS工艺，原因是它有功耗低、集成度高、噪声低、抗辐射能力强等优点，但是传统bipolar工艺有频率高、功率大的优点，因此提出在CMOS中集成三极管、二极管。论述了在0.5μm CMOS工艺中集成NPN bipolar的方法以及各个关键技术指标的确定。

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1	崔金洪		2	0	0.0	0.0