F离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件耐压分析

• 作者: 杨银堂 段宝兴 陈敬
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT,氟离子 击穿电压
• 年，卷（期）: 2012,（22）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 402-408
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

为了缓解AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors（HEMT）器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流，本文提出了具有氟离子注入新型Al0．25Ga0．75N／GaNHEMT器件新结构．首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时，器件输出特性为欧姆特性，这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe，Mg等离子的原因．利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时，氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况，得出当氟离子注入源区时，形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流，击穿电压达到262v通过减小GaN缓冲层体泄漏电流，提高器件击穿电压，设计具有一定输出功率新型A1GaN／GaNHEMT提供了科学依据．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	段宝兴		4	13	3.0	3.0
3	陈敬	香港科技大学电子与计算机工程系	5	15	3.0	3.0