Ni（111）表面C原子吸附的密度泛函研究

• 作者: 李顺辉 毛宇亮 袁健美 郝文平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Ni表面 C吸附 电子结构 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 388-394
• 分类号: O641.121
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算，对过渡金属Ni晶体与Ni（111）表面的结构和电子性质进行了研究，并探讨了单个C原子在过渡金属Ni（111）表面的吸附以及两个C原子在Ni（111）表面的共吸附．能带和态密度计算表明，Ni晶体及Ni（111）表面在费米面处均存在显著的电子自旋极化．通过比较Ni（111）表面各位点的吸附能，发现单个c原子在该表面最稳定的吸附位置为第二层Ni原子上方所在的六角密排洞位，吸附的第二个C原子与它形成碳二聚物时最稳定吸附位为第三层Ni原子上方所在的面心立方洞位．电荷分析表明，共吸附时从每个c原子上各有1．566e电荷转移至相邻的Ni原子，与单个C原子吸附时C与Ni原子问的电荷转移量（1．68e）相当．计算发现两个C原子共吸附时在六角密排洞位和面心立方洞位的磁矩分别为0．059#B和0．060#B，其值略大于单个c原子吸附时所具有的磁矩（0．017#B）．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁健美	湘潭大学数学与计算科学学院	14	65	3.0	8.0
2	李顺辉	湘潭大学材料与光电物理学院	2	7	2.0	2.0
3	毛宇亮	湘潭大学材料与光电物理学院	8	12	2.0	3.0
4	郝文平	湘潭大学材料与光电物理学院	1	2	1.0	1.0