Si基Sc膜的制备及结构分析

• 作者: 刘锦华 吴清英 罗顺忠 邴文增
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 钪 电子束镀膜 基底温度 沉积速率 形貌
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 1121-1125
• 分类号: TN304
• 字数: 2188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122405.1121

摘要

采用电子束镀膜方法在Si基底上制备了Sc膜,利用XRD,SEM分析了不同镀膜工艺条件下制备的Sc膜的形貌和结构.结果表明:基底温度在350～550℃时,薄膜主要由单质Sc组成,而且随着基底温度的升高,膜的颗粒尺寸增大,膜也变得更加致密；基底温度提高至650℃时,膜全部由ScSi化合物组成,膜变成颗粒状结构.沉积速率对低温时Sc膜的形貌与结构的影响不明显,颗粒尺寸随沉积速率的增大而增大,但物相结构基本没有发生变化；而在高温650℃时,沉积速率对膜的形貌与结构产生了很大的影响,随着沉积速率的增大,膜表面出现了大量微裂纹,而且较低的沉积速率有利于获得衍射峰单一的膜,增大沉积速率将会导致衍射峰数量明显增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗顺忠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	163	805	12.0	20.0
2	邴文增	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	24	66	5.0	6.0
3	刘锦华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	8	12	3.0	3.0
4	吴清英	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	4	4	1.0	2.0