Li掺杂ZnO的XRD微结构和磁性能研究

• 作者: 徐方贤 杨建成 王古平
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 锂掺杂 微结构 稀磁半导体
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 通信技术
• 页码范围: 2561-2566
• 分类号: TN304.7
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1815.2012.11.011

摘要

采用溶胶-凝胶法制备了不同Li摩尔配比含量的Zn1-xLixO室温铁磁性半导体.用XRD研究了Li含量和烧结温度对其微结构的影响.用VSM研究了Li晶格占位对其磁性能的影响.结果表明:当x小于等于0.02时,Zn1-xLixO为单一的纤锌矿六方结构ZnO,未发现杂质第二相.晶格常数减小,Li+以替位的形式进入ZnO晶格.当x达到0.08时,晶格常数开始增加,Li+从替位形式向间隙形式转换而进入ZnO晶格.当烧结温度从350℃升到450℃时,晶格常数减小,结晶性能提高.当x达到0.08时出现杂质第二相Li2 CO3.Li+晶格占位对其磁性能具有重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王古平	浙江台州学院物理与电子工程学院	1	2	1.0	1.0
2	杨建成	浙江台州学院物理与电子工程学院	1	2	1.0	1.0
3	徐方贤	浙江台州学院物理与电子工程学院	1	2	1.0	1.0