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摘要:
采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅表面制备了有序的纳米线阵列.研究了纳米线长度与腐蚀时间之间的关系.发现纳米线长度随着腐蚀时间的增加而增大.测试了所制备的具有纳米线阵列的硅表面在近红外1 000 nm~2 500 nm范围内的减反射性能.测试结果表明,与未处理的光滑硅表面相比,具有纳米线阵列的表面的反射率大辐降低;并随着纳米线长度的增加,反射率减小.
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文献信息
篇名 长度可调的纳米线阵列近红外减反射特性
来源期刊 科学技术与工程 学科 工学
关键词 纳米线阵列 减反射 近红外
年,卷(期) 2012,(10) 所属期刊栏目 通信技术
研究方向 页码范围 2306-2309
页数 分类号 TN304.12
字数 2051字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-1815.2012.10.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 田梦君 西北工业大学机电学院 33 211 8.0 13.0
2 陈俊 西北工业大学机电学院 15 29 4.0 4.0
3 胡培军 西北工业大学机电学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米线阵列
减反射
近红外
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
科学技术与工程
旬刊
1671-1815
11-4688/T
大16开
北京市海淀区学院南路86号
2-734
2001
chi
出版文献量(篇)
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83
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113906
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