（Ga,Mn）As中电流诱导自旋极化的磁光Kerr测量

• 作者: 姬扬 谷晓芳 赵建华 钱轩 陈林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 数学
• 关键词: 自旋电子学 稀磁半导体 电流诱导自旋极化
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 442-448
• 分类号: O177.3
• 语种: 中文

摘要

在GaAs吸收带边附近,利用磁光Kerr效应测量了（Ga,Mn）As和p-GaAs样品的电流诱导Kerr旋转谱和反射谱,两者都呈现出Lorentz曲线形状.电流诱导Kerr旋转角和反射率随着电流的增大而增大,Kerr角与电流的大小成正比关系,反射率与电流的平方成正比关系.（Ga,Mn）As的Kerr旋转角比p-GaAs的大了一个数量级,这说明Mn原子的掺杂使得电流诱导的自旋极化增强.另外,还测量了温度和入射光偏振方向对电流诱导Kerr旋转谱和反射谱的影响.发现随着温度的升高,Kerr谱和反射谱均向长波方向移动,这与GaAs带边随温度的变化是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷晓芳	中围科学院半导体研究所超品格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	钱轩	中围科学院半导体研究所超品格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	姬扬	中围科学院半导体研究所超品格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	陈林	中围科学院半导体研究所超品格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	赵建华	中围科学院半导体研究所超品格国家重点实验室	1	0	0.0	0.0