自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

• 作者: 刘之景 李统藏 王克逸
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋极化电子注入 Slonczewski模型 隧道磁电阻 非零偏压
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2912-2017
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 4234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.11.046

摘要

对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算.所得结果与最新实验结果相符,并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率,偏压很小时电流自旋极化率几乎为零.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘之景	中国科学技术大学近代物理系	42	925	11.0	30.0
2	王克逸	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	81	512	13.0	18.0
3	李统藏	中国科学技术大学近代物理系	2	7	1.0	2.0