半导体中的自旋注入方法研究

• 作者: 刘乃源 刘增良 赵俊卿
• 来源期刊: 山东建筑大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自旋注入 半导体 自旋电子学 肖特基势垒 居里温度
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 综合述评
• 页码范围: 350-354,364
• 页数: 6页
• 分类号: TN301
• 字数: 5718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-7644.2007.04.017

摘要

自旋电子学的研究是目前凝聚态物理、信息科学及新材料等诸多领域共同关注的热点,相关的自旋电子器件在信息产业中具有非常诱人的应用前景.自旋注入半导体是实现半导体自旋电子器件最基本的条件,也是目前制约器件开发应用的关键问题.本文以磁性材料/半导体结构的电学注入为主,从半导体中自旋极化的产生、自旋极化源性质、自旋注入原理、半导体材料性质等方面,介绍半导体中的自旋注入方法及其研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵俊卿	山东建筑大学理学院	23	99	6.0	9.0
2	刘增良	山东建筑大学理学院	6	19	3.0	4.0