内层DES残铜缺陷研究

• 作者: 任金磊 姚小山 彭镜辉 李瑞环
• 来源期刊: 印制电路信息
• 学科: 工学
• 关键词: 污染源 水溶性油墨 溶解度突变 显影类残铜 蚀刻类残铜 控制措施
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 81-91
• 分类号: TN41
• 字数: 4910字
• 语种: 中文

摘要

主要阐述了内层DES(显影、蚀刻、剥离工艺)残铜缺陷的种类,导致DES残铜缺陷的污染源的定位.对不同DES残铜缺陷进行分类研究,首先对显影类残铜缺陷进行了定位性试验验证,确定污染物来源于显影水洗第一缸,原因为水溶性干膜由于溶解度的剧烈变化导致有机物的析出从而导致了后续的显影类残铜和蚀刻类残铜.对于蚀刻类残铜的来源进行了分析定位,同时给出了控制措施.对以上措施的综合性实施后,残铜数据有较前期有明显的改善并能够长时间稳定在优良水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭镜辉		3	8	2.0	2.0
2	李瑞环		2	2	1.0	1.0
3	姚小山		2	4	1.0	2.0
4	任金磊		1	1	1.0	1.0