中间电平对CMOS数字电路的影响

• 作者: 李兴鸿 林建京 梁云 赵俊萍 赵春荣
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 互补金属氧化物半导体 数字集成电路 中间电平 大电流 影响
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2013.06.003

摘要

很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏.转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I/O这几种状态所产生.对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法.对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兴鸿		2	7	2.0	2.0
2	赵俊萍		2	7	2.0	2.0
3	赵春荣		2	7	2.0	2.0
4	林建京		1	2	1.0	1.0
5	梁云		1	2	1.0	1.0