硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长

• 作者: 刘汉忠
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 X-ray衍射 广角度衍射 硫酸 薄膜生长
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 先进设计与制造技术
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文

摘要

利用X-射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析p型InP(100)在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成.实验中,一台12 kW的铜旋转阳极X射线源用于保证高敏感度的表面型态分析.利用广角度衍射(WAD),从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O.每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物(InPO4·xH2O).观察到一组(nh,nk,hi)的广角度衍射中磷酸铟水合物(InPO4· xH2O)相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象.利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟(In)和磷(P)成分,分析InP在不同浓度的H2SO4 /H2O溶液中的溶解速率.观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物.借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的.藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据.可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象.