ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究

• 作者: 吴卫东 张红 沈昌乐 王雪敏 赵妍 阎大伟 雷红文
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnCdO ZnMgO 量子级联激光器 粒子数反转 跃迁矩阵
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 字数: 2046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201303.0480

摘要

ZnO是具有3.37 eV的宽禁带半导体材料，近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-xCdxO和 Zn1-xMgxO很好地实现了对 ZnO能带的减小和增大。采用较为简单的一维 K?P势模型结合有效质量理论得到了 ZnO/Zn1-xCdxO 及 ZnO/Zn1-xMgxO 多量子阱的能量色散关系，以及子带的 MeV 跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将该多量子阱应用于太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区，对粒子数反转和跃迁矩阵进行了相关讨论。