碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响

• 作者: 杨兴林 陶大庆
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅颗粒 多晶硅片 总厚度偏差 过程能力指数
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 44-49
• 分类号: TG73
• 语种: 中文

摘要

在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响.通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTy)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析,得到相关的分析结果.经过理论分析和实验结果进行对比可知:1 500#碳化硅切割出来多晶硅片的TTV值比1 200#碳化硅的减小了3.72％,即1 500#碳化硅切割出的多晶硅片TTV明显优于1 200#碳化硅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨兴林	江苏科技大学机械工程学院	77	320	10.0	14.0
2	陶大庆	江苏科技大学机械工程学院	1	3	1.0	1.0