熔盐电解SiO2/C直接制备SiC纳米线

• 作者: 卢世刚 杨娟玉 赵春荣
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC纳米线 电解还原 二氧化硅 酚醛树脂
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 2543-2548
• 页数: 6页
• 分类号: TQ129
• 字数: 3953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4861.2013.00.371

摘要

采用纳米SiO2和酚醛树脂为原料制备酚醛树脂裂解碳纳米SiO2复合阴极(硅碳物质的量的比为1∶1),直接电解PFC/SiO2复合阴极,在900℃熔融盐CaC12中,恒槽压2.0 V下电解,制备出碳化硅纳米线.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及其附带的能谱仪、X射线分析衍射仪(XRD)和拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征.结果表明:碳化硅纳米线呈立方晶体结构,其直径为4～13 nm,长可达数微米;室温下该纳米线在415 nm和534 nm附近有宽的发光峰.最后,讨论了碳化硅纳米线的生成机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢世刚		90	783	16.0	22.0
2	杨娟玉		14	95	6.0	9.0
3	赵春荣		3	12	1.0	3.0