具有负阻微分特性的NDR-MOS电路模型及应用

• 作者: 林弥
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 共振隧穿二极管 负阻微分网络 混沌系统 非线性特性
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9146.2013.01-002

摘要

该文介绍了基于MOS管构成具有负阻微分特性的网络,仿真了网络中各种参数改变对特性曲线的影响,负阻微分MOS网络可以模拟共振隧穿二极管的I-V特性.根据实际的InGaAs/A-IAs/InP异质结共振隧穿二极管测试结果,通过设置合理的参数和偏置,给出了适用于蔡氏电路的非线性特性曲线,对今后设计基于共振隧穿二极管的混沌系统以及硬件电路的构建提供了理论基础.将共振隧穿二极管应用于混沌系统的设计中,相比于传统的基于运放构成的非线性网络,具有结构简单、功耗低、工作频率高等特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林弥	杭州电子科技大学电子信息学院	24	52	4.0	6.0