C/SiC材料主被动氧化转换机理及工程预测方法

• 作者: 俞继军 罗晓光 艾邦成 邓代英 陈思员
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 碳/碳化硅 主动氧化 被动氧化 氧化转换机制
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 自然科学基金项目进展专栏
• 页码范围: 801-806
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11431-013-5220-7

摘要

针对C/SiC材料在高温动态有氧环境下的主被动氧化机制转换问题,基于对材料表面浓度边界层内气体扩散过程及材料表面氧化反应平衡关系的分析,建立了材料氧化机制转换条件的分析模型和计算方法,形成了一定温度条件下材料主被动氧化转换氧分压的工程计算式.计算结果表明,C/SiC材料主被动氧化转换区间临界转换条件与材料组成相关,在一定温度氧分压条件下,C组元含量越高,材料越容易进入主动氧化状态,对材料的抗氧化性能越不利.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈思员		20	67	4.0	7.0
2	俞继军		24	97	5.0	9.0
3	艾邦成		29	81	6.0	8.0
4	罗晓光		8	109	3.0	8.0
5	邓代英		7	14	2.0	3.0