SiC晶须在Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的合成

• 作者: 刘民生 张军战 张颖
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶须 热力学 合成系统 形貌结构特征
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1375-1378,1383
• 页数: 5页
• 分类号: TQ050
• 字数: 2895字
• 语种: 中文

摘要

对Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的主要化学反应以及SiC晶须在两种系统中合成的热力学条件进行了分析,进而采用碳黑为碳源、Si3N4与SiO2微粉为硅源、氧化硼为催化剂,分别在氩气与氮气气氛下,于1600℃合成SiC晶须.采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜等分析手段分析了晶须的生成量和形貌结构特征.结果表明:通过SiO2-C-N2系统可以一步合成SiC晶须,其与Si3N4-C系统合成的均为β-SiC;但在晶须的生成量和质量上,Si3N4-C系统合成的SiC晶须较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖	西安建筑科技大学材料与矿资学院	71	240	9.0	11.0
2	张军战	西安建筑科技大学材料与矿资学院	52	232	9.0	13.0
3	刘民生	西安建筑科技大学材料与矿资学院	20	72	4.0	8.0