集成电子薄膜材料研究进展

• 作者: 刘兴钊 张万里 朱俊 李言荣 闫裔超
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜技术 电子材料 电子器件
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 102-106
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.2013.02.05

摘要

首先分析了当前我国电子信息产业的现状,特别是电子材料与元器件行业的状况,结合国际上电子信息技术的发展趋势,阐述了研究集成电子材料的重要意义.文章结合作者的工作主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况,采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)组合缓冲层的方法控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,保护GaN基半导体材料的性能,降低介电/GaN集成薄膜界面态密度,建立界面可控的相容性生长方法.通过集成结构的设计与加工,研制出介电增强型GaN HEMT器件、高耐压GaN功率器件原型以及一体化集成的微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	115	824	15.0	21.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
4	闫裔超	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	19	2.0	4.0
5	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0