GaN和SiC技术将成太阳能逆变器竞争优势

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能逆变器 GAN SIC 宽禁带半导体 氮化镓 复合增长率 小型系统 购买协议 能源设备 模组
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（4）
• 页码范围: 11-12
• 页数: 2页
• 分类号: TM464

摘要

【正】根据研究机构Lux Research报告显示,受太阳能模组的下游需求驱动,宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器市场在2020年达到14亿美元,意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%,略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN和SiC器件进入市场,将为小型系统带来最大的竞争优势,如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变器。这些强大的优势包括:更低的均化电力成本,提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润,此外,这些器件还能改善性能和可靠性。"采用宽禁带半导体即碳化硅和氮化镓,是太阳能逆变器的制胜之道,"Lux Research分析师Pallavi Madakasira表示,"采用SiC和GaN器件带来的性能优