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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】工信部为鼓励我国企业自主创新,加强知识产权保护,推动信息和通信技术创新成果产业化与应用,开展了2012年信息产业重大技术发明评选活动。在各省、自治区、直辖市及有关单位申报项目基础上,经...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】工信部近日公布《2012年电子信息产业统计公报》,公报显示,2012年,我国电子信息产业销售收入突破10万亿元大关,达到11.0万亿元,增幅超过15%。2012年,我国电子信息产业销售...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】德国"heise"网站12月31日报道,世界知识产权组织(WIPO)公布的"2012世界知识产权指数"显示,中国商标专利机构2011年收到的专利和商标保护申请为全球最多。据WIPO估算...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300 V器件系列,可为各种高效工业应...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】硅材料的节能能力已接近极限,部分企业把注意力放到碳化硅材料上。SiC材料的采用也是功率半导体器件的主要技术趋势之一。以前功率半导体器件都采用硅材料,但业内人士认为硅材料的节能能力已经接...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】罗姆与大阪大学研究生院工学研究科助教细井卓治、京都大学研究生院工学研究科教授木本恒畅及东电电子合作试制出了新的SiC制MOSFET。特点是将透过栅极绝缘膜的漏电流减小了90%,并将绝缘...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】半导体器件的发明和应用深刻地改变了近50年的人类历史发展进程。进入21世纪,半导体器件无处不在,已成为构筑信息化社会的基石。同时,电力半导体在提高电力转换效率方面的作用使之成为构筑低碳...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如高功率和高温半导体元件,微...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】三菱电机对铁路车辆逆变器中SiC二极管的节能效果进行了验证,并公布了验证结果。该验证结果是通过将使用SiC二极管的逆变器配备在东京地铁银座线的新型"01系列列车"上,从2012年2月开...
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10. 单芯片集成低损耗SiC功率器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列—50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700VZ-FET.碳化硅MOSFET器件,还包...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】特点:1)MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流,开关损耗更低即使去掉sbd亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation)日前宣布,推出新一代工业温度碳化硅(SiC)标准功率模块。新...
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14. 未来的氧化镓器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近期,日本信息通信研究机构NICT发布了Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体管研制成功的消息。与SiC和GaN相比,Ga<sub>2</sub>O<sub>3</...
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15. 氮化镓即将实现产业化刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近年来,GaN电力半导体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比,GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置,可大幅提高效率,并实现小型化。富士通研究所与古河电气工业等组成的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】日前,世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称"华虹NEC")宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18μm SiGe工艺技术进入量产。由此成为国...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】TOKYOELECTRON LIMITED（简称"TEL集团"）向英飞凌公司提供SiC外延设备Probus-SiC<sup>TM</sup>,用于最先端SiC功率器件的量产。Probu...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600 V耐压功率器件,预计2012年功率电子产品采购商将能够以硅(Si)基器件价格获得与SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。Mic...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】如今的航空航天与国防环境需要利用增强的雷达性能来检测远距离微弱信号。为了提供测试上述设计所需的干净、精密的信号,MXG采用创新的三环合成器,在1 GHz频率上偏置20 kHz时提供—1...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.)在"IEDM2012"上公布,使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗沟道...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有望广泛应用。不过,氧化物半导体存在难以形成p型晶体管的课题。实际...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近日,由中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室大功率半导体激光器课题组佟存柱研究员承担的,中科院知识创新工程领域前沿项目"大功率高亮度光子晶体激光器及列阵"取得了阶段性进展,他们通...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】由欧盟委员会资助的一个联合研发团队,正在开发面向工业应用的高亮度直接半导体激光器系统—BRIDLE。BRIDLE采用模块化、可扩展和兼容性方法,利用先进的技术和光束组合结构,实现更高性...
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27. 日本推出高插头效率半导体激光器刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】近日,日本夏普公司开发出一种新型的高效率单模红光半导体激光器。该激光器工作在642纳米,插头效率达33%,可用于激光投影仪和平视显示器。据夏普公司介绍,这种半导体激光器型号为GH064...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】赛灵思正在打造20nm All Programmable产品系列,专门满足下一代的、更加"智能"、集成度更高、亟需更高带宽的系统。这些应用包括:1)智能Nx100G-400G有线网络;...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】2012年12月27日消息,据国外媒体报道,市场研究公司IDC发布最新半导体应用预测报告称,今年全球半导体营收为3040亿美元,增幅不足1%,但是明年全球半导体营收将增长4.9%达31...
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30. 半导体本土化 设备厂添内力刊名： 半导体信息发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 【正】随着先进制程推进加速,半导体大厂近年来迈开资本支出扩增脚步,龙头厂台积电继2012年资本支出创新高后,2013年将再写纪录,不过,伴随着资本支出而来的,除了产能与业绩外,折旧数字同样不...
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