TEL集团向英飞凌提供SiC外延设备

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: SIC TEL 英飞凌 应腔 装置性能 石川 缺陷密度 表面粗糙度 均一性
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（1）
• 页码范围: 22-22
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.24

摘要

【正】TOKYOELECTRON LIMITED（简称"TEL集团"）向英飞凌公司提供SiC外延设备Probus-SiC^TM,用于最先端SiC功率器件的量产。Probus-SiC可以进行6英寸及以下成膜处理,具有自动搬运功能和多反应腔体功能,可达到最优装置性能和生产能力。TEL集团新制品企划本部部长石川阳一表示:对于英飞凌选择Probus-SiC