ZnO/SiC/Si(111)异质外延

• 作者: 傅竹西 姚然 朱俊杰 林碧霞 赵国亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压MOCVD ZnO/SiC/Si 结构特性 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1662-1665
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.022

摘要

使用SiC作为过渡层,采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题,在Si基片上外延出高质量的ZnO薄膜.测量了样品的XRD和摇摆曲线,以及室温下的PL谱.实验结果表明,SiC过渡层的引入大大提高了ZnO薄膜的质量和发光性能,并有望实现在Si上制备ZnO单晶薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
5	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
9	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
10	姚然	中国科学技术大学物理系	10	44	4.0	6.0
11	赵国亮	中国科学技术大学物理系	1	8	1.0	1.0