无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性

• 作者: 孙国胜 孙艳玲 张永兴 曾一平 李晋闽 林兰英 王雷 罗木昌 赵万顺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LPCVD 无坑洞n-3C-SiC/p-Si 异质结特性
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 567-573
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.002

摘要

在MBE/CVD高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50mm的单晶Si(100)衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅(3C-SiC)外延材料,利用反射高能电子衍射(RHEED)和扫描电镜(SEM)技术详细研究了Si衬底的碳化过程和碳化层的表面形貌,获得了制备无坑洞3C-SiC/Si的优化碳化条件,采用霍尔(Hall)测试等技术研究了外延材料的电学特性,研究了n-3C-SiC/p-Si异质结的I-V、C-V特性及I-V特性对温度的依赖关系.室温下n-3C-SiC/p-Si异质结二极管的最大反向击穿电压达到220V,该n-3C-SiC/p-Si异质结构可用于制备宽带隙发射极SiC/Si HBTs器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所	28	244	9.0	15.0
3	林兰英	中国科学院半导体研究所	33	145	7.0	10.0
4	王雷	中国科学院半导体研究所	192	2018	26.0	36.0
5	罗木昌	中国科学院半导体研究所	9	42	4.0	6.0
6	赵万顺	中国科学院半导体研究所	17	77	5.0	8.0
7	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
8	孙艳玲	中国科学院半导体研究所	6	172	5.0	6.0
9	张永兴	中国科学院半导体研究所	4	21	3.0	4.0