Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的制备及其C-V特性研究

• 作者: 王华
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 C-V特性 Sol-Gel法 Bi4Ti3O12
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 713-716
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.05.023

摘要

为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12/P-Si异质结,对Bi4Ti3O12薄膜的相结构特征及异质结的C-V特性进行了测试与分析.XRD图谱显示,Si基Bi4Ti3O12薄膜具有沿c-轴择优取向生长的趋势,而Ag/Bi4Ti3O12/p-Si异质结顺时针回滞的C-V特性曲线则表明,该异质结可实现电极化存储.此外,对该异质结C-V特性曲线的非对称及向负偏压方向偏移的产生原因也进行了分析.在此基础上,为提高铁电薄膜的铁电性能及改善其C-V特性提出了合理的结构设想.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子工业学院通信与信息工程系	98	463	13.0	17.0